1064nmAPD સિંગલ ટ્યુબ શ્રેણી
| ફોટોઇલેક્ટ્રિક લાક્ષણિકતાઓ (＠Ta＝22±3℃) | |||||
| મોડલ | GD5210Y-3-500 | GD5210Y-3-800 | GD5211Y | ||
| પેકેજ ફોર્મ | TO-46 | TO-46 | TO-52 | ||
| પ્રકાશસંવેદનશીલ સપાટી વ્યાસ (mm) | 0.5 | 0.8 | 0.8 | ||
| સ્પેક્ટ્રલ પ્રતિભાવ શ્રેણી (એનએમ) | 400~1100 | 400~1100 | 400~1100 | ||
| પીક રિસ્પોન્સ વેવલેન્થ (એનએમ) | 980 | 980 | 980 | ||
| પ્રતિભાવ | λ=905nm Φ=1μW M=100 | 58 | 58 | 58 | |
| λ=1064nm Φ=1μW M=100 | 36 | 36 | 36 | ||
| શ્યામ પ્રવાહ M=100(nA) | લાક્ષણિક | 2 | 4 | 10 | |
| મહત્તમ | 20 | 20 | 20 | ||
| પ્રતિભાવ સમય λ=800nm R1=50Ω(ns) | 2 | 3 | 3.5 | ||
|
વર્કિંગ વોલ્ટેજ તાપમાન ગુણાંક T=-40℃~85℃(V/℃) | 2.2 | 2.2 | 2.2 | ||
| કુલ કેપેસીટન્સ M=100 f=1MHz(pF) | 1.0 | 1.5 | 3.5 | ||
| બ્રેકડાઉન વોલ્ટેજ IR=10μA(V) | ન્યૂનતમ | 220 | 220 | 350 | |
| મહત્તમ | 580 | 580 | 500 | ||
ફ્રન્ટ પ્લેન ચિપ સ્ટ્રક્ચર
ઉચ્ચ પ્રતિભાવ આવર્તન
ઉચ્ચ લાભ
લેસર શ્રેણી
લિડર
લેસર ચેતવણી
ફ્રન્ટ પ્લેન ચિપ સ્ટ્રક્ચર
ઉચ્ચ પ્રતિભાવ આવર્તન
ઉચ્ચ લાભ
લેસર શ્રેણી
લિડર
લેસર ચેતવણી
