1064nm APD
વિશેષતા
- ફ્રન્ટસાઇડ પ્રકાશિત ફ્લેટ ચિપ
- હાઇ-સ્પીડ પ્રતિસાદ
- ઉચ્ચ APD ગેઇન
અરજીઓ
- લેસર શ્રેણી
- લેસર સંચાર
- લેસર ચેતવણી
ફોટોઇલેક્ટ્રિક પરિમાણ(@Ta=22±3℃)
| આઇટમ # | પેકેજ શ્રેણી | પ્રકાશસંવેદનશીલ સપાટીનો વ્યાસ(mm) | સ્પેક્ટ્રલ પ્રતિભાવ શ્રેણી (એનએમ) |
બ્રેકડાઉન વોલ્ટેજ (વી) | જવાબદારી M=100 λ=1064nm (kV/W)
|
વધતો સમય (એનએસ) | બેન્ડવિડ્થ (MHz) | તાપમાન ગુણાંક Ta=-40℃～85℃ (V/℃)
| અવાજની સમકક્ષ શક્તિ (pW/√Hz)
| એકાગ્રતા (μm) | અન્ય દેશોમાં બદલાયેલ પ્રકાર |
| GD6212Y |
TO-8
| 0.8 |
40-1100 | 350-500 | 150 | 8.8 | 40 | 2.2 | 0.15 | ≤50 | C30950 |
| GD6213Y | 200 | 2 | 175 | C30659-1060-R8BH | |||||||
| GD6219Y | 3 | 280 | 7 | 50 | 2.4 | 0.27 | C30659-1060-3A |
