905nmAPD સિંગલ ટ્યુબ શ્રેણી

મોડલ: GD5210Y-2-2-T046 / GD5210Y-2-5-T046 / GD5210Y-2-8-T046 / GD5210Y-2-2-LCC3 / GD5210Y-2-5-LCC3 / GD5210Y-2-2- GD5210Y-2-5-P

ટૂંકું વર્ણન:

ઉપકરણ એ સિલિકોન હિમપ્રપાત ફોટોોડિયોડ છે, સ્પેક્ટ્રલ પ્રતિભાવ દૃશ્યમાન પ્રકાશથી નજીકના-ઇન્ફ્રારેડ સુધીનો છે, અને ટોચની પ્રતિભાવ તરંગલંબાઇ 905nm છે.

અવતરણ મેળવો ડાઉનલોડ કરો

ટેકનિકલ પરિમાણ

વિશેષતા

અરજી

ઉત્પાદન ટૅગ્સ

ફોટોઇલેક્ટ્રિક લાક્ષણિકતાઓ (＠Ta＝22±3℃)
મોડલ		GD5210Y-2-2-T046	GD5210Y-2-5-T046	GD5210Y-2-8-T046	GD5210Y-2-2-LCC3	GD5210Y-2-5-LCC3	GD5210Y-2-2-P	GD5210Y-2-5-P	અરે
પેકેજ ફોર્મ		TO-46	TO-46	TO-46	LCC3	LCC3	પ્લાસ્ટિક પેકેજિંગ	પ્લાસ્ટિક પેકેજિંગ	પીસીબી
પ્રકાશસંવેદનશીલ સપાટી વ્યાસ (mm)		0.23	0.50	0.80	0.23	0.50	0.23	0.50	કસ્ટમાઇઝ કરેલ
સ્પેક્ટ્રલ પ્રતિભાવ શ્રેણી (એનએમ)		400~1100	400~1100	400~1100	400~1100	400~1100	400~1100	400~1100	400~1100
પીક રિસ્પોન્સ વેવલેન્થ (એનએમ)		905	905	905	905	905	905	905	905
પ્રતિભાવ λ=905nm Φ=1μW M=100 (A/W)		55	55	55	55	55	55	55	55
ડાર્ક કરંટ M=100(nA)	લાક્ષણિક	0.2	0.4	0.8	0.2	0.4	0.2	0.4	ફોટોસેન્સિટિવિટી અનુસાર
ડાર્ક કરંટ M=100(nA)	મહત્તમ	1.0	1.0	2.0	1.0	1.0	1.0	1.0	એક બાજુ
પ્રતિભાવ સમય λ=905nm R1=50Ω(ns)		0.6	0.6	0.6	0.6	0.6	0.6	0.6	પ્રકાશસંવેદનશીલ સપાટી અનુસાર
વર્કિંગ વોલ્ટેજ તાપમાન ગુણાંક T=-40℃~85℃(V/℃)		0.9	0.9	0.9	0.9	0.9	0.9	0.9	0.9
કુલ ક્ષમતા M=100 f=1MHz(pF)		1.0	1.2	2.0	1.0	1.2	1.0	1.2	પ્રકાશસંવેદનશીલ સપાટી અનુસાર
બ્રેકડાઉન વોલ્ટેજ IR=10μA(V)	ન્યૂનતમ	130	130	130	130	130	130	130	160
બ્રેકડાઉન વોલ્ટેજ IR=10μA(V)	મહત્તમ	220	220	220	220	220	220	220	200