ચાર-ચતુર્થાંશ Si PIN

મોડલ: GT111/ GT112/ GD3250Y/ GD3249Y/ GD3244Y/ GD3245Y/ GD32413Y/ GD32414Y/ GD32415Y

ટૂંકું વર્ણન:

તે Si PIN ફોટોોડિયોડના ચાર સમાન એકમો ધરાવે છે જે રિવર્સ હેઠળ કાર્ય કરે છે અને UV થી NIR સુધીની ઉચ્ચ સંવેદનશીલતા પ્રદાન કરે છે.પીક રિસ્પોન્સ વેવલેન્થ 980nm છે.પ્રતિભાવ: 1064 nm પર 0.5 A/W.

અવતરણ મેળવો ડાઉનલોડ કરો

ટેકનિકલ પરિમાણ

ઉત્પાદન ટૅગ્સ

વિશેષતા

ઓછો શ્યામ પ્રવાહ
ઉચ્ચ પ્રતિસાદ
સારી ચતુર્થાંશ સુસંગતતા
નાનો અંધ વિસ્તાર

અરજીઓ

લેસર માર્ગદર્શન, લક્ષ્યીકરણ અને ટ્રેકિંગ
સંશોધન ઉપકરણ માટે
લેસર માઇક્રો-પોઝિશનિંગ, ડિસ્પ્લેસમેન્ટ મોનિટરિંગ અને ચોક્કસ માપન સિસ્ટમ્સ

ફોટોઇલેક્ટ્રિક પરિમાણ（@Ta=25℃）

આઇટમ #	પેકેજ શ્રેણી	વ્યાસ પ્રકાશસંવેદનશીલ સપાટી (મીમી)	સ્પેક્ટ્રલ પ્રતિભાવ શ્રેણી (એનએમ)	ટોચ પ્રતિભાવ તરંગલંબાઇ	જવાબદારી λ=1064nm (kV/W)	શ્યામ પ્રવાહ (nA)	વધતો સમય λ=1064nm R_L=50Ω(ns)	જંકશન કેપેસીટન્સ f=1MHz (pF)	બ્રેકડાઉન વોલ્ટેજ (વી)
GT111	TO-8	Ф4	400-1100	980	0.3	5(વી_R=40V)	15(વી_R=40V)	5(વી_R=10V)	100
GT112		Ф6				7(વી_R=40V)	20(વી_R=40V)	7(વી_R=10V)
GD3250Y		Ф8				10(વી_R=40V)	25(વી_R=40V)	10(વી_R=10V)
GD3249Y	TO-20	Ф10				15(વી_R=40V)	30(વી_R=40V)	15(વી_R=10V)
GD3244Y	TO-31-7	Ф10			0.4	20(વી_R=135V)	20(વી_R=135V)	10(વી_R=135V)	300
GD3245Y	TO-31-7	Ф16				50(વી_R=135V)	30(વી_R=135V)	20(વી_R=135V)
GD32413Y	MBCY026-P6	Ф14				40(વી_R=135V)	25(વી_R=135V)	16(વી_R=135V)
GD32414Y	TO-8	Ф5.3	400-1150		0.5	4.8(વી_R=140V)	15(વી_R=140V)	4.2(વી_R=140V)	≥300
GD32415Y	MBCY026-W7W	Ф11.3	400-1150		0.5	≤20(વી_R=180V)	20(વી_R=180V)	10(વી_R=180V)	≥300